DOCUMENT_CATEGORY: daily_relevant_regulation
CATEGORY_REASON: Regulament tehnic privind produsele și tehnologiile cu dublă utilizare, inclusiv echipamente, materiale și componente supuse regimului de control la export și import
| **Utilizarea fasciculelor de ioni sau de electroni sau a plasmei pentru activarea sau facilitarea depunerii acoperirii este de asemenea o modificare obişnuită în cadrul acestui procedeu. Se pot utiliza în aceeaşi măsură instrumente de control pentru măsurarea în cursul procesului a caracteristicilor optice şi a grosimii acoperirilor.** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 1878 | 1885 | Care sunt procedeele specifice TE-PVD care implică utilizarea fasciculelor de ioni sau de electroni pentru activarea depunerii acoperirii? |
| 1878 | 1885 | Ce instrumente pot fi utilizate în cadrul procedeelor TE-PVD pentru măsurarea în timp real a caracteristicilor optice și a grosimii acoperirilor? |
| 1878 | 1885 | Cum pot fi modificate procedeele TE-PVD prin utilizarea plasmei pentru facilitarea depunerii acoperirii? |
| **Procedeele TE-PVD specifice, sunt după cum urmează:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 1880 | 1885 | Ce caracteristică definește PVD cu fascicul de electroni în cadrul procedeelor TE-PVD? |
| 1880 | 1885 | Cum se realizează evaporarea materialului în PVD cu încălzire rezistivă? |
| 1880 | 1885 | Care este rolul laserului în procedeul de evaporare laser din cadrul TE-PVD? |
| **c. Cementarea compactă este o acoperire de modificare a suprafeţei sau un procedeu de acoperire cu straturi suprapuse, în care substratul este imersat într-un amestec de pulberi care constă din:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 1886 | 1890 | Ce componente intră în alcătuirea amestecului de pulberi utilizat în procedeul de cementare compactă? |
| 1886 | 1890 | Care este intervalul de temperatură în care se realizează procedeul de cementare compactă? |
| 1886 | 1890 | Care este rolul activatorului în procedeul de cementare compactă? |
| **d. Pulverizarea cu plasmă este un procedeu de acoperire în straturi suprapuse, prin tare un dispozitiv de pulverizare (ajutaj), care produce şi controlează o plasmă, primeşte materiale de acoperire sub formă de pulbere sau fire, le topeşte şi le proiectează pe subs!rat, pe care se formează în consecinţă o acoperire integral aderentă. Pulverizarea cu plastpă poate fi o pulverizare la joasă presiune sau o pulverizare cu plasmă de mare viteză.** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 1891 | 1894 | Ce caracterizează pulverizarea cu plasmă la joasă presiune în comparație cu presiunea atmosferică? |
| 1891 | 1894 | Care este criteriul pentru definirea „marii viteze” în pulverizarea cu plasmă? |
| 1891 | 1894 | Cum se realizează aderența acoperirii în procedeul de pulverizare cu plasmă? |
| **e. Depunerea din suspensie este o depunere de modificare a suprafeţei sau un procedeu de depunere în straturi suprapuse, în care o pulbere metalică sau ceramică cu un liant organic, aflată în suspensie într-un lichid este aplicată pe substrat prin pulverizare, imersie sau vopsire. Ansamblul este uscat în aer sau în cuptor şi apoi supus la un tratament termic pentru obţinerea acoperirii dorite.** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 1895 | 1895 | Ce tip de liant este utilizat în suspensia pentru depunerea din suspensie? |
| 1895 | 1895 | Prin ce metode poate fi aplicată suspensia pe substrat în procedeul de depunere din suspensie? |
| 1895 | 1895 | Care este etapa finală necesară pentru obținerea acoperirii dorite în procedeul de depunere din suspensie? |
| **f Depunerea prin pulverizare catodică este un procedeu de acoperire în straturi suprapuse care se bazează pe fenomenul transferului de energie cinetică, în care ionii pozitivi sunt acceleraţi de un câmp electric şi proiectaţi pe suprafaţa unei ţinte (materialul de acoperit). Energia cinetică degajată prin şocul ionilor este suficientă pentru eliberarea atomilor din suprafaţa ţintă şi depunerea lor pe un substrat poziţionat adecvat.** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 1896 | 1900 | Ce fenomen fizic stă la baza depunerii prin pulverizare catodică? |
| 1896 | 1900 | Care este rolul câmpului electric în procedeul de pulverizare catodică? |
| 1896 | 1900 | Ce tipuri de modificări ale procedeului de pulverizare catodică sunt permise pentru mărirea aderenței acoperirii? |
| **g. Implantarea ionică este un procedeu de acoperire prin modificarea suprafeţei în care elementul de aliat este ionizat, accelerat printr-un gradient de potenţia_I şi implantat în zona superficială a substratului. Aceasta include procedeele în care implantarea ionică se realizează simultan cu depunerea fizică în fază de vapori cu fascicul de electroni sau cu depunere prin pulverizare catodică.** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 1901 | 1901 | Ce procedeu este descris ca fiind o metodă de modificare a suprafeței prin accelerarea unui element de aliat într-un gradient de potențial? |
| 1901 | 1901 | Care este legătura dintre implantarea ionică și depunerea fizică în fază de vapori cu fascicul de electroni? |
| 1901 | 1901 | Cum se realizează implantarea simultană a ionilor în combinație cu alte procedee de acoperire? |
| **2E101 "Tehnologie" în conformitate cu Nota Generală privind Tehnologia pentru "utilizarea" echipamentelor supuse controlului prin 2B004, 2B104, 2B109, 2Bl 16 sau 2D101.** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 1902 | 1902 | Ce tip de tehnologie este necesară pentru utilizarea echipamentelor supuse controlului prin 2B004? |
| 1902 | 1902 | Care este scopul tehnologiei prevăzută pentru echipamentele supuse controlului prin 2B109? |
| 1902 | 1902 | Ce categorii de echipamente sunt vizate de tehnologia descrisă în 2E101? |
| **2E201 "Tehnologie" în conformitate cu Nota Generală privind Tehnologia pentru "utilizarea" echipamentelor sau "software"-ului supuse controlului prin 2A225, 2A226, 2B001, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 la 2B232, 2D201 sau 2D202.** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 1905 | 1906 | Ce tipuri de echipamente sau software sunt vizate de tehnologia prevăzută în 2E201? |
| 1905 | 1906 | Care este domeniul de aplicare a tehnologiei necesare pentru utilizarea echipamentelor supuse controlului prin 2B201? |
| 1905 | 1906 | Ce standarde tehnologice trebuie urmate pentru utilizarea software-ului supus controlului conform 2E201? |
| **2E301 "Tehnologie" necesară pentru "utilizarea" produselor supuse controlului prin 2B350 la 2B352.** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 1907 | 1907 | Ce tehnologie este necesară pentru utilizarea produselor supuse controlului prin 2B350? |
| 1907 | 1907 | Care sunt produsele vizate de tehnologia prevăzută în 2E301? |
| 1907 | 1907 | Ce condiții trebuie îndeplinite pentru ca un produs să fie supus controlului conform 2E301? |
| **3A SISTEME, ECHIPAMENTE ŞI COMPONENTE** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 1908 | 1914 | Care este statutul de control al componentelor electronice descrise în 3A001 care sunt special concepute pentru alte echipamente? |
| 1908 | 1914 | Cum se determină statutul de control al circuitelor integrate programate inalterabil pentru un anumit echipament? |
| 1908 | 1914 | Ce tipuri de componente electronice sunt vizate de regulamentul 3A001? |
| **3A001 Componente electronice, după cum urmează:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 1915 | 1935 | Ce caracteristici definesc circuitele integrate rezistente la radiații conform 3A001.a.1? |
| 1915 | 1935 | Care sunt condițiile pentru clasificarea unui circuit integrat pentru funcționare în intervalul larg de temperaturi conform 3A001.a.2.c? |
| 1915 | 1935 | Ce tipuri de circuite integrate sunt exceptate de la controlul prevăzut în 3A001.a.2? |
| **a. Circuite integrate pentru utilizări generale, după cum urmează:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 1915 | 1935 | Ce tipuri de circuite integrate sunt incluse în definiția generală prevăzută în 3A001.a? |
| 1915 | 1935 | Care sunt criteriile pentru includerea unui circuit integrat în categoria celor rezistente la radiații? |
| 1915 | 1935 | Ce tipuri de circuite integrate sunt exceptate de la controlul pentru aplicații civile în autovehicule și locomotive de cale ferată? |
| **b. Dispozitive pentru microunde şi unde milimetrice:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 1971 | 2013 | Ce caracteristici definesc tuburile cu undă progresivă care funcționează la frecvențe mai mari de 31 GHz? |
| 1971 | 2013 | Care sunt condițiile pentru controlul tuburilor cu catod cu timp de amorsare mai mic de 3 secunde? |
| 1971 | 2013 | Ce tipuri de tranzistoare pentru microunde sunt supuse controlului în funcție de frecvența de operare? |
| **c. Dispozitive cu unde acustice şi componente special concepute pentru acestea, după cum urmează:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2014 | 2027 | Ce caracteristici definesc dispozitivele cu undă acustică de suprafață care depășesc 2,5 GHz? |
| 2014 | 2027 | Care sunt cerințele pentru dispozitivele cu unde acustice de volum care permit prelucrarea semnalelor la frecvențe peste 1 GHz? |
| 2014 | 2027 | Ce caracteristici trebuie să aibă un dispozitiv acustico-optic pentru a fi supus controlului în prelucrarea semnalelor? |
| **d. Dispozitive sau circuite electronice conţinând componente fabricate din materiale "superconductive", special concepute pentru funcţionare la temperaturi sub "temperatura critică" a cel puţin unuia din componenţii "superconductivi", având oricare din următoarele caracteristici:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2028 | 2034 | Ce caracteristici definesc amplificarea electromagnetică în dispozitivele superconductoare care funcționează sub 31 GHz? |
| 2028 | 2034 | Care sunt condițiile pentru comutarea în curent în circuitele digitale care folosesc porți superconductoare? |
| 2028 | 2034 | Ce criterii trebuie îndeplinite pentru ca un circuit rezonant să fie supus controlului prin selecția frecvenței cu valori Q peste 10.000? |
| **e. Dispozitive de mare energie, după cum urmează:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2035 | 2070 | Ce caracteristici trebuie să aibă o baterie pentru a fi supusă controlului prin densitatea de energie și intervalul de temperaturi? |
| 2035 | 2070 | Care sunt cerințele pentru condensatoarele cu descărcare repetată în funcție de tensiune, densitate de energie și durată de viață? |
| 2035 | 2070 | Ce condiții trebuie îndeplinite de electromagneții superconductori pentru a fi supuși controlului prin performanțele de încărcare rapidă? |
| **f. Codificatoare de poziţie absolută de tipul cu intrare rotativă având oricare din următoarele caracteristici:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2071 | 2073 | Ce rezoluție este necesară pentru un codificator de poziție absolută de tip rotativ pentru a fi supus controlului? |
| 2071 | 2073 | Care este toleranța maximă de precizie pentru un codificator supus controlului? |
| 2071 | 2073 | Ce aplicații pot utiliza codificatoarele de poziție absolută cu caracteristici avansate? |
| **Echipamente electronice de uz general, după cum urmează:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2074 | 2117 | Ce caracteristici definesc înregistratoarele analogice de instrumentație supuse controlului? |
| 2074 | 2117 | Care sunt condițiile pentru controlul înregistratoarelor video digitale în funcție de viteza de transfer? |
| 2074 | 2117 | Ce tipuri de analizoare de rețea sunt supuse controlului în funcție de frecvența maximă de operare? |
| **3A201 Dispozitive, echipamente, sisteme şi componente electronice altele decât cele supuse controlului prin 3A001, după cum urmează:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2118 | 2135 | Ce caracteristici definesc convertoarele analog/digital care sunt utilizabile la rachete? |
| 2118 | 2135 | Care sunt condițiile pentru controlul acceleratoarelor de electroni în funcție de energia de accelerare? |
| 2118 | 2135 | Ce tipuri de acceleratoare sunt exceptate de la controlul prevăzut în 3A201.b? |
| **a. Convertoare analog/digitale, utilizabile la "rachete", concepute pentru a respecta specificaţiile militare relativ la condiţiile mecanice;** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2118 | 2118 | Ce condiții mecanice trebuie să respecte convertoarele analog/digital utilizabile la rachete? |
| 2118 | 2118 | Care este aplicația specifică a convertoarelor analog/digital supuse controlului? |
| 2118 | 2118 | Ce standarde militare sunt relevante pentru proiectarea convertoarelor analog/digital pentru rachete? |
| **b. Acceleratoare capabile de a elibera radiaţii electromagnetice produse de "Bremsstrahlung" pornind de la electronii acceleraţi cu 2 MeV sau mai mult şi sisteme conţinând aceste acceleratoare.** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2121 | 2122 | Ce energie minimă de accelerare a electronilor este necesară pentru ca un accelerator să fie supus controlului? |
| 2121 | 2122 | Ce tipuri de sisteme sunt exceptate de la controlul acceleratoarelor pentru aplicații medicale? |
| 2121 | 2122 | Ce radiații sunt produse de acceleratoarele care funcționează cu electroni accelerați de 2 MeV sau mai mult? |
| **3A201 Componente electronice, altele decât cele supuse controlului prin 3A001, după cum urmează:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2123 | 2145 | Ce caracteristici definesc condensatoarele supuse controlului în funcție de tensiune, energie și inductanță? |
| 2123 | 2145 | Care sunt condițiile pentru controlul electromagnetelor solenoidale superconductoare în funcție de câmpul magnetic și dimensiuni? |
| 2123 | 2145 | Ce caracteristici definesc generatoarele de raze X în funcție de energia la vârf a electronilor și capacitatea de accelerare? |
| **a. Condensatoare având caracteristicile următoare:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2124 | 2126 | Ce tensiune minimă trebuie să aibă un condensator pentru a fi supus controlului? |
| 2124 | 2126 | Care este relația dintre tensiunea nominală, capacitatea de stocare și inductanța serie pentru condensatoarele supuse controlului? |
| 2124 | 2126 | Ce caracteristici definesc condensatoarele cu tensiune nominală mai mare de 750 V și inductanță serie mai mică de 10 nH? |
| **b. Electromagneţi solenoidali superconductori având toate caracteristicile următoare:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2127 | 2131 | Ce câmp magnetic minim trebuie să creeze un electromagnet superconductor pentru a fi supus controlului? |
| 2127 | 2131 | Care este raportul minim L/D pentru un electromagnet solenoidal superconductor supus controlului? |
| 2127 | 2131 | Ce uniformitate a câmpului magnetic este necesară în jumătatea centrală a volumului interior al electromagnetului? |
| **c. Generatoare de raze X cu descărcare luminoasă sau acceleratoare de electroni a căror energie la vârf este egală sau mai mare de 500 keV, după cum urmează:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2133 | 2144 | Ce energie minimă a electronilor este necesară pentru ca un generator de raze X să fie supus controlului? |
| 2133 | 2144 | Care este criteriul de calcul pentru valoarea aritmetică K în funcție de energie și capacitate de accelerare? |
| 2133 | 2144 | Ce condiții trebuie îndeplinite de un accelerator pentru a fi supus controlului atunci când energia electronilor este de 25 MeV sau mai mare? |
| **3A225 Schimbătoare de frecvenţă (numite şi convertizoare sau invertoare) sau generatoare, altele decât cele supuse controlului prin 0B00l.c.11., având toate caracteristicile următoare:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2152 | 2156 | Ce putere minimă trebuie să furnizeze un schimbător de frecvență pentru a fi supus controlului? |
| 2152 | 2156 | Care este intervalul de frecvențe în care trebuie să funcționeze un schimbător de frecvență supus controlului? |
| 2152 | 2156 | Ce precizie a reglajului frecvenței este necesară pentru un schimbător de frecvență supus controlului? |
| **3A226 Alimentatoare de putere în curent continuu, altele decât cele supuse controlului prin 0B00I.j.6, capabile să producă în permanenţă, în timpul unei perioade de 8 ore, 100 V sau mai mult, cu un curent de ieşire egal sau mai mare de 500 A şi o reglare a curentului sau tensiunii mai bună de O,1%. •** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2157 | 2157 | Ce tensiune și curent minim trebuie să producă un alimentator de putere pentru a fi supus controlului? |
| 2157 | 2157 | Care este toleranța maximă de reglare a curentului sau tensiunii pentru un alimentator supus controlului? |
| 2157 | 2157 | Ce durată de operare continuă este necesară pentru ca un alimentator să fie supus controlului? |
| **3A227 Alimentatoare în curent continuu la tensiune înaită, altele decât cele supuse controlului prin 0B00I.j.5, capabile să producă în permanenţă, în timpul unei perioade de 8 ore, 20.000 V sau mai mult, cu un curent de ieşire egal sau mai mare de 1 A şi o reglare a curentului sau tensiunii mai bună de O,1%.** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2158 | 2159 | Ce tensiune minimă trebuie să producă un alimentator la tensiune înaltă pentru a fi supus controlului? |
| 2158 | 2159 | Care este curentul minim de ieșire necesar pentru un alimentator supus controlului? |
| 2158 | 2159 | Ce precizie de reglare este necesară pentru un alimentator la tensiune înaltă supus controlului? |
| **3A228 Comutatoare, după cum urmează:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2160 | 2174 | Ce tensiune anodică minimă trebuie să aibă un tub cu catod rece pentru a fi supus controlului? |
| 2160 | 2174 | Care este curentul anodic nominal maxim permis pentru un comutator supus controlului? |
| 2160 | 2174 | Ce timp maxim de temporizare al anodului este permis pentru comutatoarele supuse controlului? |
| **a. Tuburi cu catod rece (incluzând tuburile krytron cu gaz şi tuburile sprytron sub vid), care sunt sau nu umplute cu gaz, funcţionând similar tuburilor cu descărcare în gaz, conţinând trei electrozi sau mai mulţi şi având toate caracteristicile următoare:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2161 | 2164 | Ce caracteristici definesc un tub cu catod rece supus controlului? |
| 2161 | 2164 | Care este rolul gazului în funcționarea tuburilor krytron cu gaz? |
| 2161 | 2164 | Ce tipuri de electrozi sunt necesari în construcția unui tub cu catod rece supus controlului? |
| **b. Tuburi cu descărcare în gaz cu o temporizare a anodului egală cti 15 µs sau mai mică şi funcţionând cu un curent nominal de vârf egal sau mai mare de 500 A;** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2165 | 2165 | Ce timp maxim de temporizare al anodului este permis pentru tuburile cu descărcare în gaz supuse controlului? |
| 2165 | 2165 | Care este curentul nominal minim de vârf pentru un tub cu descărcare în gaz supus controlului? |
| 2165 | 2165 | Ce aplicații pot utiliza tuburile cu descărcare în gaz cu caracteristici avansate? |
| **c. Module sau ansambluri cu o funcţie de comutaţie rapidă, având toate caracteristicile următoare:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2166 | 2174 | Ce tensiune anodică minimă trebuie să aibă un modul de comutație rapidă pentru a fi supus controlului? |
| 2166 | 2174 | Care este curentul de placă nominal minim pentru un modul de comutație rapidă supus controlului? |
| 2166 | 2174 | Ce timp maxim de comutație este permis pentru modulele supuse controlului? |
| **3A229 Dispozitive de dare a focului şi generatoare de impulsuri de mare intensitate echivalente (penţ_ru detonatoare comandate), după cum urmează:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2175 | 2185 | Ce caracteristici definesc un dispozitiv de dare a focului cu detonator exploziv supus controlului? |
| 2175 | 2185 | Care sunt condițiile pentru controlul generatoarelor de impulsuri electrice modulare? |
| 2175 | 2185 | Ce aplicații pot utiliza dispozitivele de dare a focului comandate? |
| **a. Dispozitive de dare a focului cu detonator exploziv concepute pentru a acţiona detonatoarele cu comandă multiplă supuse controlului prin 3A232;** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2177 | 2177 | Ce tip de detonator este acționat de un dispozitiv de dare a focului supus controlului? |
| 2177 | 2177 | Care este scopul unui dispozitiv de dare a focului cu detonator exploziv? |
| 2177 | 2177 | Ce caracteristici trebuie să aibă un detonator cu comandă multiplă pentru a fi supus controlului? |
| **b. Generatoare de impulsuri electrice modulare (contactoare cu impulsuri) concepute pentru a fi utilizate ca dispozitive portabile, mobile sau rezistente la şocuri şi vibraţii (inclusiv dispozitive d.e comandă a lămpilor cu xenon) având toate caracteristicile următoare:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2178 | 2185 | Ce energie maximă trebuie să furnizeze un generator de impulsuri electrice pentru a fi supus controlului? |
| 2178 | 2185 | Care este curentul de ieșire minim necesar pentru un generator de impulsuri supus controlului? |
| 2178 | 2185 | Ce condiții de mediu trebuie să suporte un generator de impulsuri pentru a fi supus controlului? |
| **3A230 Generatoare de impulsuri de mare viteză a căror tensiune de ieşire este mai mare de 6 V, în care încărcarea ohmică este mai mică de 55 n şi timpul de trecere a impulsului este mai mic de 500 ps.** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2186 | 2188 | Ce tensiune minimă trebuie să aibă un generator de impulsuri de mare viteză pentru a fi supus controlului? |
| 2186 | 2188 | Care este rezistența maximă a încărcării pentru un generator supus controlului? |
| 2186 | 2188 | Ce timp maxim de trecere a impulsului este permis pentru un generator de impulsuri de mare viteză? |
| **3A231 Sisteme generatoare de neutroni, inclusiv tuburi, concepute pentru a funcţiona fără instalaţii de vid exterioare si utilizând acceleraţia electrostatică pentru declanşarea unei reacţii nucleare tritiu-deuteriu.** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2189 | 2189 | Ce tip de reacție nucleară este declanșată în sistemele generatoare de neutroni? |
| 2189 | 2189 | Care este metoda de accelerare utilizată în sistemele generatoare de neutroni? |
| 2189 | 2189 | Ce condiții de funcționare sunt necesare pentru sistemele generatoare de neutroni? |
| **3A232 Detonatoare şi sisteme multipunct de iniţiere, după cum urmează:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2190 | 2203 | Ce tipuri de detonatoare electrice sunt supuse controlului prin 3A232? |
| 2190 | 2203 | Care este scopul unui sistem multipunct de inițiere? |
| 2190 | 2203 | Ce timp maxim de propagare a inițierii este permis pentru un sistem supus controlului? |
| **a. Detonatoare de explozie cu comandă electrică, după cum urmează:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2192 | 2196 | Ce tipuri de detonatoare electrice sunt enumerate în categoria 3A232.a? |
| 2192 | 2196 | Care este diferența dintre un detonator cu amorsă în punte și unul cu fitil detonant? |
| 2192 | 2196 | Ce caracteristici definesc un detonator cu inițiator cu straturi explozive? |
| **b. Sisteme utilizând un detonator unic sau detonatoare multiple concepute pentru amorsarea aproape simultană a unei suprafeţe explozive (mai mare de 5.000 mm2) cu ajutorul unui semnal unic de dare a focului (cu un timp de propagare a iniţierii pe toata suprafaţa mai mic de 2,5,us).** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2197 | 2200 | Ce dimensiune minimă a suprafeței explozive este necesară pentru un sistem multipunct de inițiere supus controlului? |
| 2197 | 2200 | Care este timpul maxim de propagare a inițierii permis pentru un sistem supus controlului? |
| 2197 | 2200 | Ce tip de semnal este necesar pentru activarea unui sistem multipunct de inițiere? |
| **3A233 Spectrometre de masă, altele decât cele supuse controlului prin 0B002.g, capabile să măsoare ioni cu masa atomică egală sau mai mare de 230 unităţi atomice de masă şi având o rezoluţie mai bună de 2·părţi la 230 şi sursele lor de ioni, după cum urmează:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2206 | 2214 | Ce masă atomică minimă trebuie să poată măsura un spectrometru de masă pentru a fi supus controlului? |
| 2206 | 2214 | Care este rezoluția minimă necesară pentru un spectrometru de masă supus controlului? |
| 2206 | 2214 | Ce tipuri de surse de ioni sunt utilizate în spectrometrele de masă supuse controlului? |
| **a. Spectrometre de masă cu plasmă asociate cu cuplaj inductiv;** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2207 | 2207 | Ce tip de cuplaj este utilizat în spectrometrele de masă cu plasmă supuse controlului? |
| 2207 | 2207 | Care este aplicația principală a spectrometrelor de masă cu plasmă asociate cu cuplaj inductiv? |
| 2207 | 2207 | Ce caracteristici definesc un spectrometru de masă cu plasmă supus controlului? |
| **b. Spectrometre de masă cu descărcare luminiscentă;** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2208 | 2208 | Ce metodă de ionizare este utilizată în spectrometrele de masă cu descărcare luminiscentă? |
| 2208 | 2208 | Care sunt avantajele spectrometrelor de masă cu descărcare luminiscentă? |
| 2208 | 2208 | Ce tipuri de analize pot fi efectuate cu spectrometre de masă cu descărcare luminiscentă? |
| **c. Spectrometre de masă cu ionizare termică;** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2209 | 2209 | Ce proces este utilizat pentru ionizarea probelor în spectrometrele de masă cu ionizare termică? |
| 2209 | 2209 | Care este sursa de energie pentru ionizarea termică în spectrometrele de masă? |
| 2209 | 2209 | Ce aplicații industriale pot utiliza spectrometre de masă cu ionizare termică? |
| **d. Spectrometre de masă cu bombardare de electroni, având o cameră sursf1 construită din materiale rezistente la UF6 sau prevăzută ·cu o dublură din sau placată cu asemenea materiale;** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2210 | 2210 | Ce materiale sunt utilizate pentru construcția camerei sursei în spectrometrele de masă supuse controlului? |
| 2210 | 2210 | Care este rolul dublurii din materiale rezistente la UF6 în spectrometrele de masă? |
| 2210 | 2210 | Ce tip de ionizare este utilizată în spectrometrele de masă cu bombardare de electroni? |
| **e. Spectrometre de masă cu fascicule moleculare, după cum urmează:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2211 | 2213 | Ce materiale sunt utilizate pentru construcția camerei sursei în spectrometrele de masă cu fascicule moleculare? |
| 2211 | 2213 | Care este temperatura minimă la care poate răci capcana criogenică în spectrometrele de masă cu fascicule moleculare? |
| 2211 | 2213 | Ce caracteristici trebuie să aibă o cameră sursă pentru a fi supusă controlului în spectrometrele de masă cu fascicule moleculare? |
| **f Spectrometre de masă echipate cu o sursă de ioni concepută pentru a fi utilizată cu actinide sau fluoruri de actinide.** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2214 | 2214 | Ce tipuri de materiale sunt analizate cu spectrometre de masă echipate cu surse de ioni speciale? |
| 2214 | 2214 | Care este aplicația principală a spectrometrelor de masă pentru analiza actinidelor? |
| 2214 | 2214 | Ce caracteristici trebuie să aibă o sursă de ioni pentru a fi utilizată cu fluoruri de actinide? |
| **ECHIPAMENTE DE TESTARE, INSPECŢIE ŞI PRODUCŢIE** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2215 | 2244 | Ce tipuri de echipamente pentru producerea dispozitivelor semiconductoare sunt supuse controlului? |
| 2215 | 2244 | Care sunt caracteristicile sistemelor centrale multicameră de manipulare a plachetelor? |
| 2215 | 2244 | Ce aplicații industriale pot utiliza echipamentele de testare și producție supuse controlului? |
| **Echipamente pentru producerea dispozitivelor sau materialelor semi onductoare ş1 componentele şi accesoriile lor special concepute pentru acestea, după cum urmează:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2216 | 2244 | Ce tipuri de echipamente sunt utilizate pentru creșterea epitaxială a cristalelor semiconductoare? |
| 2216 | 2244 | Care sunt caracteristicile echipamentelor pentru implantare ionică supuse controlului? |
| 2216 | 2244 | Ce metode sunt utilizate pentru corodarea uscată cu plasmă anizotropică? |
| **a Echipamente cu "control prin program memorat" pentru creşterea epitaxială, după cum urmează:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2217 | 2219 | Ce uniformitate a grosimii stratului este necesară pentru un echipament de creștere epitaxială supus controlului? |
| 2217 | 2219 | Ce procedeu chimic este utilizat în reactoarele MOCVD pentru creșterea cristalelor semiconductoare compuse? |
| 2217 | 2219 | Ce caracteristici definesc echipamentele pentru creșterea epitaxială cu fascicul molecular? |
| **1. Echipamente capabile să producă un strat cu o uniformitate a grosimii mai mică de ±2,5% pe o distanţă de 75 mm sau mai mare;** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2218 | 2218 | Ce toleranță maximă de uniformitate a grosimii stratului este necesară pentru un echipament supus controlului? |
| 2218 | 2218 | Care este distanța minimă pe care trebuie să o acopere uniformitatea stratului în echipamentele supuse controlului? |
| 2218 | 2218 | Ce aplicații pot utiliza echipamentele cu uniformitate a grosimii stratului sub ±2,5%? |
| **3B001 a. 2. Reactori pentru depunerea în fază de vapori prin procedee chimice metalo organice (MOCVD) special concepuţi pentru creşterea cristalelor semiconductoare compuse prin reacţie chimică între materialele supuse controlului prin 3C003. sau 3C004;** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2219 | 2219 | Ce tip de reacție chimică este utilizată în reactoarele MOCVD pentru creșterea cristalelor semiconductoare? |
| 2219 | 2219 | Care sunt materialele supuse controlului care intră în reacția chimică în reactoarele MOCVD? |
| 2219 | 2219 | Ce caracteristici definesc un reactor MOCVD special conceput pentru creșterea cristalelor semiconductoare compuse? |
| **3. Echipamente pentru creşterea epitaxială cu fascicul molecular folosind surse de gaz;** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2220 | 2220 | Ce tip de surse sunt utilizate în echipamentele pentru creșterea epitaxială cu fascicul molecular? |
| 2220 | 2220 | Care este metoda de creștere a cristalelor în echipamentele cu fascicul molecular? |
| 2220 | 2220 | Ce aplicații industriale pot utiliza echipamentele pentru creșterea epitaxială cu fascicul molecular? |
| **b. Echipamente cu "control prin program memorat" concepute pentru implantare ionică, având oricare din următoarele caracteristici:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2221 | 2225 | Ce tensiune minimă de accelerare este necesară pentru un echipament de implantare ionică supus controlului? |
| 2221 | 2225 | Care este tensiunea maximă optimizată pentru funcționarea unui echipament de implantare ionică? |
| 2221 | 2225 | Ce caracteristică definește un echipament de implantare ionică cu capacitate de scriere directă? |
| **c. Echipamente de corodare uscată cu plasmă anizotropică cu "control prin program memorat", după cum urmează:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2226 | 2232 | Ce metode sunt utilizate pentru limitarea plasmei în echipamentele de corodare uscată? |
| 2226 | 2232 | Care este rolul rezonanței ciclotronice electronice în echipamentele de corodare uscată? |
| 2226 | 2232 | Ce caracteristici definesc un echipament de corodare uscată cu funcționare casetă-casetă și blocări de sarcină? |
| **d. Echipamente CVD cu plasmă intensificată cu ncontrol prin program· memorat", după cum urmează:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2233 | 2239 | Ce metode sunt utilizate pentru intensificarea plasmei în echipamentele CVD? |
| 2233 | 2239 | Care este rolul limitării magnetice în echipamentele CVD cu plasmă intensificată? |
| 2233 | 2239 | Ce caracteristici definesc un echipament CVD special conceput pentru prelucrarea semiconductorilor? |
| **e. Sisteme centrale multicameră de manipulare a plachetelor cu încărcare automată cu "control prin program memorat" având-următoarele caracteristici:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2240 | 2242 | Câte echipamente pentru prelucrarea semiconductorilor pot fi conectate la un sistem central de manipulare a plachetelor? |
| 2240 | 2242 | Ce condiție trebuie îndeplinită pentru ca un sistem de manipulare a plachetelor să fie considerat integrat în vid? |
| 2240 | 2242 | Ce avantaje oferă un sistem central multicameră de manipulare a plachetelor cu încărcare automată? |
| **f. Echipamente litografice cu "control prin program memorat", după cum urmează:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2245 | 2260 | Ce lungime de undă maximă trebuie să aibă sursa de lumină în echipamentele litografice supuse controlului? |
| 2245 | 2260 | Care este rezoluția minimă a trasei necesară pentru un echipament litografic supus controlului? |
| 2245 | 2260 | Ce precizie de strat este necesară pentru un echipament de litografie cu deflexie de fascicul focalizat? |
| **1. Echipamente cu repetare şi pas cu pas pentru expunere şi aliniere (cu pas direct pe multistrat) pentru prelucrarea plachetelor multistrat, folosind metode cu raze X sau metode foto-optice, având oricare din următoarele caracteristici:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2246 | 2248 | Ce tipuri de metode sunt utilizate în echipamentele litografice pentru prelucrarea plachetelor multistrat? |
| 2246 | 2248 | Care este rezoluția minimă a trasei pentru un echipament litografic supus controlului? |
| 2246 | 2248 | Ce caracteristici definesc un echipament litografic cu repetare și pas cu pas? |
| **2. Echipamente special concepute pentru executarea măştilor sau prelucrarea dispozitivelor semiconductoare folosind deflexia unui fascicul focalizat de electroni, de ioni sau laser, având oricare din următoarele caracteristici:** | | |
| start | end | întrebare |
|-------|-----|-----------|
| 2257 | 2260 | Ce dimensiune maximă a spotului este necesară pentru un echipament de litografie cu fascicul focalizat? |
| 2257 | 2260 | Care este dimensiunea maximă a trasei pentru un echipament de litografie supus controlului? |
| 2257 | 2260 | Ce precizie de strat este necesară pentru un echipament de litografie cu deflexie de fascicul focalizat? |
ALL_CHAPTERS_COVERED: true